目前對TSV填充的研究主要集中在條件優(yōu)化和填充機理上。
為了實現(xiàn)?缺陷的 TSV 填充，電鍍?nèi)芤褐械奶囟ㄌ砑觿?br /> 氯離?、抑制劑和促進劑進?了深?研究 。與特定添加劑和
通孔結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的佳電沉積參數(shù)已被?泛研究。. 在這些參
數(shù)中，電流密度對填充形態(tài)的影響尤為顯著。盡管特定的添
加劑可以有效地實現(xiàn)?缺陷填充，但所需的步驟很復(fù)雜，沉
積速率低，相關(guān)成本?。為了克服添加劑輔助填充?法的缺
陷，?泛研究了脈沖電流、脈沖反向電流、周期性脈沖反向
電流和多步電流等電鍍電流波形. 同時，已經(jīng)引用了?種機制
來解釋?缺陷填充過程，例如傳統(tǒng)的流平模型、對流相關(guān)吸
附模型、時間相關(guān)傳輸-吸附模型和曲率增強加速器覆蓋模
型。動態(tài) TSV 填充對于 TSV 填充研究的各個?面都很重要。
它是優(yōu)化條件的基礎(chǔ)，反映了填充模型的機制。然?，現(xiàn)有
的研究只關(guān)注在特定時刻獲得的填充結(jié)果。很少系統(tǒng)地研究
連續(xù)和全面的動態(tài) TSV 填充過程。在這項研究中，我們通過
在不同電流密度下的分階段電沉積實驗證明了 TSV 動態(tài)填充
過程。獲得了實現(xiàn)?缺陷填充的佳電流密度。討論了電流
密度對填充模型的影響。此外，鍍層的形態(tài)演變表明，局部
沉積速率受鍍層?何特征的影響。

北京汐源科技有限公司
隨著電子產(chǎn)品 半導(dǎo)體產(chǎn)品不斷的更新?lián)Q代 在國家對高科技產(chǎn)業(yè)的大力支持下 汐源科技同時也為電子 半導(dǎo)體行業(yè)提供良好的保障。
汐源科技電子材料：
灌封膠:洛德 漢高 道康寧 陶氏 杜邦等。廣泛應(yīng)用于電子電源 厚膜電路 汽車電子 半導(dǎo)體封裝等行業(yè)。
導(dǎo)電膠： 3M 北京ablestik 北京Emerson&Cuming等.用于半導(dǎo)體 LED等行業(yè)
實驗設(shè)備：提供X-RAY FIB 顯微鏡等。FBI 武藏點膠機 諾信點膠機 灌封機 實驗室儀器儀表 TSV電鍍設(shè)備 鍵合機 平行封焊機。
我們的電子化學(xué)材料含括：粘接膠 灌封材料 導(dǎo)電 導(dǎo)熱界面材料 裸芯粘接材料 COB包封材料 CSP/Flip chip/BGA底部填充膠 貼片膠 電子涂料 UV固化材料。應(yīng)用范圍涉及電子元器件 電子組件 電路板組裝 顯示及照明工業(yè) 通訊 汽車電子 智能卡/射頻識別 航天航空 半導(dǎo)體封裝 晶圓劃片保護液 晶圓臨時鍵合減薄 鍵合金絲等領(lǐng)域。

在三維集成中 TSV 技術(shù)可分為三種類型:在 CMOS ?藝過程之前在硅片 上完成
通孔制作和導(dǎo)電材料填充的是先通孔技術(shù);?中通孔，在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后?種后通孔技術(shù)是在 CMOS ?藝完成后但未
進?減薄處理時制作通孔。終技術(shù)?案的選擇要 根據(jù)不同的?產(chǎn)需求。

北京汐源科技有限公司 漢高授權(quán)代理商，專注于電源、新能源、汽車電子、半導(dǎo)體行業(yè)膠黏劑產(chǎn)品，公司擁有一批高素質(zhì)的技術(shù)人員，為了客戶提供膠黏劑技術(shù)一站式解決方案。
公司主要經(jīng)營品牌包含：漢高、樂泰、漢新、道康寧、洛德、3M等。
公司主要經(jīng)營產(chǎn)品包含：導(dǎo)熱膠、導(dǎo)電膠、灌封膠、密封膠、三防漆、導(dǎo)熱墊片、UV膠、芯片保護液、晶圓劃片液、晶圓臨時鍵合膠、晶圓清洗液等。
經(jīng)營設(shè)備：晶圓劃片機 芯片鍵合機 點膠機 平行封焊機等。
失效分析技術(shù)：Decap開蓋，x-ray，快速封裝，陶瓷封裝，管殼封裝，氣密性測試，拉力測試，剪切力測試等。

小型噴鍍機臺
配備有Stir Cup適用于研發(fā)以及小批量生產(chǎn)。
特別適合于鍍孔，Sn/Ag電鍍，Cu pillar等電鍍制程。
體積小，可對應(yīng)2寸到8寸晶圓電鍍。
只需使用10L或更少的鍍液。
配備循環(huán)過濾器
配備供排液泵。
Stir Cup