在不同電流密度下的分階段電沉積實驗展示了動態(tài)的硅通孔
(TSV) 填充過程。通過控制外加電流密度，可以獲得對應于
TSV填充結果的不同形貌。具體來說，低電流密度 (4 mA/
cm 2 ) 會導致接縫缺陷填充，中等電流密度 (7 mA/cm 2 ) 會導
致?缺陷填充，??電流密度 (10 mA/cm 2 )) 導致空洞缺陷填
充。填充系數分析表明，電流密度對TSV填充模型的影響是
由添加劑和銅離?的消耗和擴散的耦合效應觸發(fā)的。此外，
鍍層的形態(tài)演變表明局部沉積速率受鍍層?何特征的影響。
硅通孔 (TSV) 是?種很有前途的三維 (3D) 封裝技術，具有
?性能、減小封裝體積、低功耗和多功能等優(yōu)點。在 TSV ?
藝中，通常使用銅電化學沉積 (ECD) 進?的通孔填充步驟占
總成本的近 40% 。作為 TSV 的核?和關鍵技術，以小化?
藝時間和成本的?缺陷填充備受關注。

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