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晶圓劃片是半導(dǎo)體芯片制造工藝流程中的一道的工序,在晶圓制造中屬于后道工序。將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片(晶粒),稱為晶圓劃片。Si、SiC、Sapphire、Inp等材料被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體晶圓的襯底材料。隨著晶圓集成度大規(guī)模提高,晶圓趨向于輕薄化,傳統(tǒng)的很多加工方式已不再適合。于是部分工序引入了激光切割技術(shù)。
硅晶圓切片工藝是在“后端”裝配工藝中的步。在芯片的分割期間,刀片碾碎基礎(chǔ)材料(晶圓),同時(shí)去掉所產(chǎn)生的碎片。材料的去掉沿著晶方(dice)的有源區(qū)域之間的切割線(跡道)發(fā)生的。冷卻劑(通常是去離子水)指到切割縫內(nèi),改善切割品質(zhì),和通過幫助去掉碎片而延長刀片壽命。每條跡道(street)的寬度(切口)與刀片的厚度成比例。
現(xiàn)有晶圓隔道通常采用裂片刀沿著切割線進(jìn)行切開,使得容易造成芯片隔道交錯(cuò)區(qū)域邊緣崩裂的同時(shí)產(chǎn)生的碎屑不好排出,并且現(xiàn)有的晶圓在裂片時(shí),由于受到不同方向的力進(jìn)行裂片,裂片效率較低,同時(shí)容易讓芯片發(fā)生位移,從而產(chǎn)生劃痕造成損傷。
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