芯片從誕展至今經(jīng)歷了幾代的升級(jí)和改造，但一種主要材質(zhì)是沒有發(fā)生任何變化的，那就是晶圓。眾所周知，一顆芯片在成品之前須讓晶圓經(jīng)歷過上百個(gè)生產(chǎn)工序才能誕生，它如同藝術(shù)家手里的畫板一樣，承載著各種電子信息技術(shù)設(shè)計(jì)的意圖。作為芯片的核心材質(zhì)，晶圓一直以來都是現(xiàn)代電子領(lǐng)域的基礎(chǔ)

晶圓隨著芯片技術(shù)升級(jí)和降低成本需要而不斷發(fā)展。在降低成本方面，通過不斷變大晶圓尺寸以容納更多電路和減少廢棄比例就是晶圓的歷史發(fā)展趨勢。從1970年代至今，晶圓尺寸已經(jīng)由過去的100mm（4英寸）發(fā)展至當(dāng)前的300mm（12英寸）。根據(jù)IC Insight統(tǒng)計(jì)，2016年全球晶圓出貨量為10738百萬平方英寸，其中300mm晶圓占全球晶圓產(chǎn)能的63.6%，預(yù)計(jì)到2021年，全球?qū)⒂?23家12英寸晶圓廠，產(chǎn)能占比將達(dá)到71.2%。由于目前18英寸晶圓技術(shù)尚未成熟，且成本高昂，需求不足，未來幾年內(nèi)300mm（12英寸）晶圓仍將是主流技術(shù)路線

校準(zhǔn)區(qū)截面呈方形，晶圓上料裝置和晶圓收料裝置對(duì)應(yīng)設(shè)置在方形的相鄰兩側(cè)邊，晶圓取放裝置對(duì)應(yīng)設(shè)置在晶圓上料裝置和邊緣式校準(zhǔn)器之間，且自動(dòng)導(dǎo)片機(jī)還包括位于校準(zhǔn)區(qū)的負(fù)離子發(fā)生器。這樣設(shè)置，結(jié)構(gòu)緊湊，設(shè)備運(yùn)行，同時(shí)，負(fù)離子發(fā)生器可產(chǎn)生大量帶有正負(fù)電荷的氣流，可以將晶圓檢測區(qū)內(nèi)的物體表面所帶電荷中和。

晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.999999999%。

晶圓制造廠把這些多晶硅融解，再在融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為集成電路工廠的基本原料——硅晶圓片，這就是“晶圓”。

晶圓的集成電路制造，為了降低器件熱阻、提高工作散熱及冷卻能力、便于封裝，在硅晶圓正面制作完集成電路后，需要進(jìn)行背面減薄。晶圓的背面研磨工藝，是在晶圓的正面貼一層膜保護(hù)已經(jīng)制作好的集成電路，然后通過研磨機(jī)來進(jìn)行減薄。晶圓背面研磨減薄后，表面會(huì)形成一層損傷層，且翹曲度高，容易破片。為了解決這些問題，需要對(duì)晶圓背面進(jìn)行濕法硅腐蝕，去除損傷層，釋放晶圓應(yīng)力，減小翹曲度及使表面粗糙化。使用槽式的濕法機(jī)臺(tái)腐蝕時(shí)，晶圓正面及背面均與腐蝕液接觸，正面貼的膜耐腐蝕，從而保護(hù)正面的集成電路。使用單片作業(yè)的濕法機(jī)臺(tái)，晶圓的正面通常已被機(jī)臺(tái)保護(hù)起來，不會(huì)與腐蝕液或者腐蝕性的氣體有接觸，可以撕膜后再進(jìn)行腐蝕。