TSV絕緣層
TSV 的?屬填充需要用到絕緣層來對硅襯底進(jìn)?充分的電?隔離。絕 緣層的?
藝要求包括良好的階梯覆蓋率，?漏電流，低應(yīng)?，?擊穿電 壓，以及不同
的 TSV 集成引起的加?溫度的限制。?氧化硅(SiO2)或 氮化硅(Si3N4)是常用于
等離?體增強(qiáng)化學(xué)?相沉積(PECVD)或減壓 化學(xué)?相沉積(SACVD)的絕緣層。
然?，當(dāng) TSV 直徑小于 3 μm 時， 絕緣層更適用于原?層沉積(ALD)。ALD有
?個優(yōu)勢，如較低的熱預(yù) 算，比現(xiàn)有流程更好的階梯覆蓋率，?需再進(jìn)?表面
處理，并且由于較薄 的絕緣層，降低了 TSV 的 CMP 加?時間。

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厚膜導(dǎo)電膠84-1A 84-1LMI 84-1LMIT1 JM7000 84-3 2025D
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組裝膠粘劑 膠粘劑導(dǎo)電型
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LOCTITE ABLESTIK ABLEBOND 84-1LMISR4
LOCTITE ABLESTIK ICP-3535M1
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LOCTITE 樂泰 ECCOBOND CE3103WLV
LOCTITE 樂泰 ECCOBOND CE3520-3
LOCTITE 樂泰 ECCOBOND CE8500
LOCTITE 3880
LOCTITE 59C
LOCTITE 3888
LOCTITE 2902
LOCTITE 56C
非導(dǎo)電粘合劑
LOCTITE ABLESTIK ABLEBOND 2025D
LOCTITE ABLESTIK ABLEBOND 84-3
LOCTITE ABLESTIK ABLEBOND 8700D
LOCTITE ABLESTIK ABLEBOND 104 A/B
LOCTITE ABLESTIK ABLEBOND QMI536NB
薄膜導(dǎo)電型
樂泰 CF3350