電子產(chǎn)品銷毀之磁盤數(shù)據(jù)銷毀的原因：
由于磁盤使用的是磁性介質(zhì)的存儲原理和數(shù)據(jù)的讀寫方法，普通的數(shù)據(jù)銷毀方法，如低級格式化和數(shù)據(jù)刪除，不能完全清除之前存儲的數(shù)據(jù)。操作系統(tǒng)和磁盤的隱性操作將產(chǎn)生剩余數(shù)據(jù)。為了避免使用殘差回收原始數(shù)據(jù)信息，造成安全泄漏的風(fēng)險，在磁盤崩潰或修復(fù)之前，捐贈的磁盤數(shù)據(jù)應(yīng)該按照不同的種類分類銷毀。

廢舊電子產(chǎn)品處理絕不僅僅是直接填埋或是直接焚毀這么簡單，因為電子產(chǎn)品中含有大量重金屬，使用這兩種方造成環(huán)境的嚴重破壞，填埋有毒有害玩具會致使土地資源被污染，嚴重的可能會污染至地下水；導(dǎo)致喝過污染水的人畜患上惡性疾病，而焚燒有毒如果沒有的處理，極易造成大氣污染以及有毒氣體蔓延，造成不可想象的災(zāi)難，

電子產(chǎn)品一般要做哪些測試
1、低溫試驗
按GB/T2423.1—89《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法低溫試驗》；
GB/T2423.22—87《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法溫度變化試驗方法》
進行低溫試驗及溫度變化試驗。
溫度范圍：-70℃～10℃。
2、高溫試驗
按GB/T2423.2—89《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法高溫試驗》；
GB/T2423.22—87《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法溫度變化試驗方法》
進行高溫試驗及溫度變化試驗。
溫度范圍：10℃～210℃。
3、濕熱試驗
按GB/T2423.3—93《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法恒定濕熱試驗》；
GB/T2423.4—93《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法交變濕熱試驗》
進行恒定濕熱試驗及交變濕熱試驗。
濕度范圍：30%RH～RH。
4、霉菌試驗
按GB/T2423.16—90《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法長霉試驗》進行霉菌試驗。
5、鹽霧試驗
按GB/T2423.17—93《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法鹽霧試驗》進行鹽霧試驗。
6、低氣壓試驗
按GB/T2423.21—92《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法低氣壓試驗》；
GB/T2423.25—92《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法低溫/低氣壓試驗》；
GB/T2423.26—92《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法高溫/低氣壓試驗》；
進行低氣壓試驗，高、低溫/低氣壓試驗。范圍：70℃～100℃0～760mmHg20%～95%RH。
7、振動試驗
按GB/T2423.10—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法振動試驗》進行振動試驗。
頻率范圍（機械振動臺）：5～60Hz（定頻振動5～80Hz），大位移振幅3.5mm（滿載）。頻率范圍（電磁振動臺）：5～3000Hz，大位移25mmP-P。
8、沖擊試驗
按GB/T2423.5—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法沖擊試驗》進行沖擊試驗。沖擊加速度范圍：（50～1500）m/s2。
9、碰撞試驗
按GB/T2423.6—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法碰撞試驗》進行碰撞試驗。
10、跌落試驗
按GB/T2423.7—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法傾跌與翻到試驗》；
GB/T2423.8—95《電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗第二部分：試驗方法自由跌落試驗》進行跌落試驗。