銀漿系由高純度的(99.9%)金屬銀的微粒電阻的變化不穩(wěn)定。在具體應(yīng)用中，銀漿中銀微粒含量既要考慮到穩(wěn)定的阻值，還要受固化特性，粘接強(qiáng)度，經(jīng)濟(jì)性等因素制約，如銀微粒含量過高。薄膜開關(guān)的導(dǎo)電特性主要是靠它來體現(xiàn)。金屬銀在漿料中的含量直接與導(dǎo)電性能有關(guān)。從某種意義上講被連結(jié)樹脂所裹覆的幾率低，固化成膜后銀導(dǎo)體的粘接力下降，有銀粒脫落的危險(xiǎn)。故此，銀漿中的銀的含量一般在60～70%是適宜的。

微粒間的接觸幾率偏低，并留有較大的空間，被非導(dǎo)體的樹脂所占據(jù)，從而對導(dǎo)體微粒形成阻隔，導(dǎo)電性能下降。反之，細(xì)小微粒的接觸幾率提高，導(dǎo)電性能得到改善。微粒的大小對導(dǎo)電性的影響，從上述情況來看，只是一種相對的關(guān)系。由于受加工條件和絲網(wǎng)印刷方式的影響，既要滿足微粒順利通過絲網(wǎng)的網(wǎng)孔，又要符合銀微粒加工的條件，一般粒度能控制在3～5μm已是很好。

銀微粒的大小與銀漿的導(dǎo)電性能有關(guān)。微粒大在相同的體積下這樣的粒度僅相當(dāng)于250目普通絲網(wǎng)網(wǎng)徑的1/10～1/能使導(dǎo)電微粒順利通過網(wǎng)孔，密集地沉積在承印物上，構(gòu)成飽滿的導(dǎo)電圖形。銀微粒的形狀與導(dǎo)電性能的關(guān)系十分密切。從一般的印象出發(fā)，都只是把微粒理解為球狀或近似球狀的顆粒。

金屬微粒的防氧劑，穩(wěn)定劑等。助劑的加入會(huì)對導(dǎo)電性能產(chǎn)生不良的影響，只有在權(quán)衡利弊的情況下適宜地，選擇性地加入。導(dǎo)電銀漿按燒結(jié)溫度不同，分為高溫銀漿，中溫銀漿和低溫銀漿。其中高中溫?zé)Y(jié)型銀漿主要用在太陽能電池，壓電陶瓷等方面。低溫銀漿主要用在薄膜開關(guān)及鍵盤線路上面。玻璃粉兩個(gè)作用。腐蝕晶硅，通過腐蝕SiNx，形成導(dǎo)電通道。在漿料-發(fā)射極界面間作為傳輸媒介。流平劑漿料成分對漿料電性能的影響編輯當(dāng)玻璃粉含量不變時(shí)，電阻率在一定范圍內(nèi)隨著銀粉的含量逐漸增加而降低。當(dāng)銀粉含量過大時(shí)，電阻率反而升高。因?yàn)殂y粉含量過大，玻璃粉含量不變，即漿料的固體含量過大，有機(jī)載體含量過低，那么漿料的黏度過大，流平性差，絲網(wǎng)印刷時(shí)。

銀漿作為一個(gè)有發(fā)展前景的產(chǎn)業(yè)，存在很大的發(fā)展空間。關(guān)鍵在于誰能網(wǎng)羅人才，投入更多資金，建立的生產(chǎn)環(huán)境，裝備水平。銀幾乎是為電子工業(yè)而生的，從目前銀的存量和儲(chǔ)量而言，并不存在供需方面的嚴(yán)重問題和資源的和緊迫性。

目的是在確定的配方或成膜工藝下，用少的銀粉實(shí)現(xiàn)銀導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性的大利用，關(guān)系到膜層性能的優(yōu)化及成本。還原劑的選擇，反應(yīng)條件的控制，界面活性劑的使用，可以制備不同物理化學(xué)特性的銀微粉（顆粒形態(tài)，分散程度，平均粒徑以及粒徑分布，比表面積，松裝密度，振實(shí)密度，晶粒大小，結(jié)晶性等），對還原粉進(jìn)行機(jī)械加工（球磨等）可得光亮銀粉（polishedsilverpowder），片狀銀粉。甚至每一類別中的不同配方需要不同的銀粉作為導(dǎo)電功能材料平均粒徑<0.1μm(100nm)為納米銀粉，0.1μm<(平均粒徑)<10.0μm為銀微粉，(平均粒徑)>10.0μm為粗銀粉。粉末的制備方法有很多，就銀而言，可一次采用物理法（等離子。