主要用于對半導體硅晶圓、化合物半導體晶圓（SiC、GaAs、GaP等）、氧化物半導體晶圓（LiTaO3 等）等半導體晶圓進行、精密劃切，實現(xiàn)芯片單體化。

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劃片機一般提供兩種切割模式，單刀切割（Single Cut）和臺階式切割（Step Cut），實驗證明，劃片刀的設計不可能同時滿足正面崩角、分層及背面崩角的質(zhì)量控制的要求。這個結論對于晶圓厚度大于7 mil的低k晶圓尤為適用。為了減小正面金屬層與ILD層的分層，薄劃片刀會被采用，若晶圓較厚，則需選取刀鋒較長的刀片。但須注意，具有較高刀鋒／刀寬比的劃片刀在切割時會產(chǎn)生擺動，反而會造成較大的正面分層及背面崩角。

半導體晶圓切割用劃片刀頭在切割時，線速度是一個非常重要的參數(shù)，可以直接影響到切割效率和切割質(zhì)量。 以下是關于金剛石刀頭切割過程中線速度的介紹： 線速度是指切割線每分鐘旋轉的圈數(shù)，單位為m/min。 線速度過快，金剛石顆粒就會被削短，使刀頭變鈍，而且金剛石顆粒很容易掉落，影響切割質(zhì)量。 線速度過慢，刀頭會過度磨損，切割效率低下。 金剛石刀頭切割時，應根據(jù)不同的材料選擇合適的線速度。

目前，機械式金剛石切割是劃片工藝的主流技術。在這種切割方式下，金剛石刀片（Diamond Blade）以每分鐘3萬轉到4萬轉的高轉速切割晶圓的街區(qū)部分，同時，承載著晶圓的工作臺以一定的速度沿刀片與晶圓接觸點的切線方向呈直線運動，切割晶圓產(chǎn)生的硅屑被去離子水（DI water）沖走。依能夠切割晶圓的尺寸 ，目前半導體界主流的劃片機分８英寸和12英寸劃片機兩種。

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通常在切割前會在晶圓背部貼上UV膜或藍膜，之后將貼有UV膜的晶圓放入劃片機中，設置好程序開始劃片，劃片結束后拿出晶圓，進行解UV等工序。藍膜成本較低，但是需要通過機械手段+溫度輔助才能將芯片剝離；而UV膜粘性可以通過紫外線照射來改變。在劃片完成后，晶圓被暴露在紫外光下，這使得膜的粘性降低，從而容易地剝離芯片。
顆粒越大，刀片壽命越長；顆粒越小，刀片壽命越短。 顆粒集中度的影響 顆粒集中度對劃片質(zhì)量也非常關鍵。 關于相同的金剛石顆粒大小會消費出不同集中度的刀片，劃片效果也會有很大差別。 目前，劃片刀常見有5種規(guī)格，分別是：50、70、90、110、130。 依據(jù)實踐測試得出，高集中度的金剛石顆粒，劃片阻力小，劃片速度快，，還能夠延長劃片刀的壽命，減少晶圓正面崩缺