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回收V33、FS-V34系列等FS-V30系列；FS-V20、FS-V21、FS-V22等FS-V20系列；LV21、LV21AP

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將有新聞也將使NAND閃存保持在****。具體來(lái)說(shuō)，這涉及3D閃存，現(xiàn)在該產(chǎn)品已開(kāi)始量產(chǎn)。三星的V-NAND閃存就是一個(gè)例子。它采用向上/向下/橫向結(jié)構(gòu)，其中存儲(chǔ)模塊垂直堆疊，為流行的固態(tài)介質(zhì)提供了全新的面貌。

分析師表示，三星，東芝和美光的3D NAND閃存芯片有望在2014-2015年間進(jìn)入初期生產(chǎn)階段，未來(lái)幾年我們將看到其商業(yè)版本。3D NAND的成功將取決于具有閃存的新產(chǎn)品在市場(chǎng)上的采用，這將決定何時(shí)準(zhǔn)備將其用于商業(yè)規(guī)模生產(chǎn)的中心舞臺(tái)。
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